Микросхемы и модули памяти типа DDR3 от компании HunixМикросхемы памяти Микросхемы и модули памяти типа DDR3 от компании Hunix первыми прошли аттестацию у Intel

Компания Hynix Semiconductor, Inc. сообщает об первой, среди утройствэтого типа, успешной аттестации микросхем и модулей памяти типа DDR3,проведённой компанией Intel. Изделия компании Hunix, прошедшиеаттестацию, - это 1-гигабитная микросхема DDR3 SDRAM, для производствакоторой используется передовой 80-нанометровый технологический процесс,1-гигабайтный и 2-гигабайтный модули небуферированной памяти типа DDR3DIMM. Эти устройства отличаются самыми высокими рабочими частотами,среди устройств этого типа, составляющими 800 МГц и 1066 МГц принапряжении питания 1,5 В. Комбинации таймингов, предлагаемые с такимирабочими частотами, - это 5-5-5 и 6-6-6 для 800 МГц и 7-7-7 для 1066МГц, что позволяет удовлетворять потребности различных персональныхкомпьютеров и другого оборудования.

Кроме высокогобыстродействия, модули памяти типа DDR3 отличаются на 25 % пониженнымпотреблением тока, по сравнению с текущим поколением памяти - DDR2.Благодаря используемой компанией Hunix аархитектуре "трёхмерныйтранзистор" сводятся к минимуму утечки тока, что приводит к ещёбольшему уменьшению потребляемого тока и обеспечению целостностиданных.

Массовое производство 1-гигабитных микросхем памятитипа DDR3 по 80-нанометровому технологическому процессу начнётся втретьем квартале этого года. Компания Hunix планирует начатьпроизводство этого изделия по новому 66-нанометровому технологическомупроцессу в конце 2009 года.