Главная Мой профиль Регистрация Выход Вход
РАДИОЛЮБИТЕЛИ СЛОБОЖАНЩИНЫ
Суббота
21.4.2018
20:02
Приветствуем Вас Гость | RSS | РЕГИСТРАЦИЯ | ВЫХОД | ВХОД ВходРегистрацияГлавная
МЕНЮ САЙТА
Категории раздела
Мои статьи [14]
Наш опрос
Оцените мой сайт
1. Отлично
2. Ужасно
3. Плохо
4. Неплохо
5. Хорошо
Всего ответов: 1
Мини-чат
200
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0

ПОИСК ПО ПОЗЫВНОМУ

НАШ БАННЕР

Главная » Статьи » Мои статьи

Технология электронной голографической микроскопии добралась до уровня атомарной разрешающей способности
Ранее изображения, получаемые при помощи подобных технологий, содержали слишком много шумов, что не позволяло определить роль отдельных атомов в формировании кристаллической структуры исследуемых материалов, но новый метод позволяет уменьшить уровень шумов и помех, что делает его мощным инструментом для ученых-физиков и ученых-материаловедов.

Для уменьшения уровня шумов ученые объединили несколько отдельных изображений в одно изображение с большой разрешающей способностью. Процесс объединения голографических изображений, на самом деле, гораздо более сложен, нежели может показаться с первого взгляда, ведь сами голографические изображения сложнее обычных изображений. Помимо этого, ученым пришлось модернизировать и аппаратную часть их системы так, чтобы она стала способной к захвату последовательного ряда голограмм, которые могут быть затем объединены в одну при помощи соответствующего программного обеспечения.

Новый метод электронной голографической микроскопии был проверен на одном слое молибденита, дисульфида молибдена (MoS2). Полученные снимки позволили ученым определить электростатический потенциал в области, где отсутствует атом серы с разрешающей способностью менее 1 ангстрема.

Исследования материалов со столь высокой разрешающей способностью могут внести огромный вклад в дело разработки электронных устройств следующих поколений, давая исследователям возможность изучения работы этих устройств на самом маленьком уровне масштаба. Помимо этого, исследователи получают возможность подробного изучения влияния дефектов кристаллической решетки, вызванных отсутствием или наличием лишних атомов в определенных местах, которые оказывают пагубное влияние на качество работы электронных устройств и наномеханизмов.
Категория: Мои статьи | Добавил: Alex57 (30.03.2018)
Просмотров: 10 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
ВХОД НА САЙТ

Поиск
Друзья сайта

Сайт харьковских радиолюбителей


Copyright MyCorp © 2018
Яндекс цитирования. Рейтинг@Mail.ru